| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供一种高光提取效率的半导体发光元件。根据实施方式，半导体发光元件，包含:半导体层、第一导电层、及设置在所述半导体层与所述第一导电层之间的第二导电层。所述第二导电层的光透过率高于所述第一导电层的光透过率。所述第二导电层的消光系数为0.005以下。 | ||
| 申请公布号 | CN105990488A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510097400.3 | 申请日期 | 2015.03.05 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 三木聡;伊藤俊秀 |
| 分类号 | H01L33/40(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，其特征在于包含：半导体层，第一导电层，及设置在所述半导体层与所述第一导电层之间的第二导电层；且所述第二导电层的光透过率高于所述第一导电层的光透过率；所述第二导电层的消光系数为0.005以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||