| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底的逻辑器件区的逻辑器件、位于所述半导体衬底的LDMOS区的LDMOS，还包括位于所述逻辑器件区的浅沟槽隔离；其中，所述LDMOS包括位于场板下方的隔离结构，所述隔离结构的厚度小于所述浅沟槽隔离的深度。该半导体器件由于隔离结构的厚度小于浅沟槽隔离的深度，因而可以提高场板的效果。本发明的方法用于制造上述半导体器件，制得的半导体器件同样具有上述优点。本发明的电子装置包括上述半导体器件，同样具有上述优点。 | ||
| 申请公布号 | CN105990424A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510054833.0 | 申请日期 | 2015.02.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 汪铭;程勇 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底(200)、位于所述半导体衬底的逻辑器件区的逻辑器件(21)、位于所述半导体衬底的LDMOS区的LDMOS(22)，还包括位于所述逻辑器件区的浅沟槽隔离(2101)；其中，所述LDMOS包括位于场板下方的隔离结构(2201)，所述隔离结构的厚度小于所述浅沟槽隔离的深度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||