发明名称 WAFER PROCESSING METHOD
摘要 본 발명은, 웨이퍼의 내부에 분할 예정 라인을 따라 복수의 개질층을 적층하여 형성하지 않아도 웨이퍼를 개질층이 형성된 분할 예정 라인을 따라 확실하게 분할할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 표면에 복수의 분할 예정 라인이 격자형으로 형성되어 있고 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼를, 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 표면에 점착 테이프를 접착시키는 점착 테이프 접착 공정과, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선의 집광점을 웨이퍼의 이면측으로부터 내부에 위치시켜 분할 예정 라인을 따라 조사하고, 웨이퍼의 내부에 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과, 개질층 형성 공정이 실시된 웨이퍼의 표면에 접착되어 있는 점착 테이프를 가열함으로써, 개질층으로부터 웨이퍼의 표면을 향해 크랙을 신장시키는 점착 테이프 가열 공정과, 점착 테이프 가열 공정이 실시된 웨이퍼에 외력을 부여하고, 웨이퍼를 개질층 및 표면을 향해 신장되는 크랙이 형성된 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스로 분할하는 분할 공정을 포함한다.
申请公布号 KR20160131905(A) 申请公布日期 2016.11.16
申请号 KR20160052128 申请日期 2016.04.28
申请人 DISCO CORPORATION 发明人 NAKAMURA MASARU
分类号 H01L21/78;H01L21/268;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/324;H01L21/683;H01L21/76 主分类号 H01L21/78
代理机构 代理人
主权项
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