发明名称 |
SiC-Wärmebehandlungshaltevorrichtung |
摘要 |
Es ist eine SiC-Wärmebehandlungshaltevorrichtung vorgesehen, auf die eine glasartige Platte aufzubringen ist, auf deren Oberfläche Filme mit entsprechend vorgegebenen Funktionen ausgebildet worden sind, wenn die glasartige Platte einer Wärmebehandlung unterzogen wird. Sie SiC-Wärmebehandlungshaltevorrichtung enthält mindestens 50 Gew.-% SiC-haltige Phase, ihre Wärmeleitzahl beträgt mindestens 10 W/mK, ihre Scheinporosität 0,2 bis 25% und ihr Wärmeausddehnungskoeffizient 3,8 x 10·-6·/ DEG C bis 5,5 x 10·-6·/ DEG C. |
申请公布号 |
DE10153556(A1) |
申请公布日期 |
2002.07.18 |
申请号 |
DE2001153556 |
申请日期 |
2001.10.30 |
申请人 |
NGK INSULATORS, LTD.;NGK ADREC CO., LTD. |
发明人 |
KINOSHITA, TOSHIHARU;OGURA, SHIGERU |
分类号 |
C03B32/00;C03C17/32;C04B35/573;C04B35/626;H01J9/02;H01J9/38;H01J11/02;H01J11/20;H01J11/44;H01L21/673;H01L21/683;(IPC1-7):C04B35/565 |
主分类号 |
C03B32/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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