发明名称 SiC-Wärmebehandlungshaltevorrichtung
摘要 Es ist eine SiC-Wärmebehandlungshaltevorrichtung vorgesehen, auf die eine glasartige Platte aufzubringen ist, auf deren Oberfläche Filme mit entsprechend vorgegebenen Funktionen ausgebildet worden sind, wenn die glasartige Platte einer Wärmebehandlung unterzogen wird. Sie SiC-Wärmebehandlungshaltevorrichtung enthält mindestens 50 Gew.-% SiC-haltige Phase, ihre Wärmeleitzahl beträgt mindestens 10 W/mK, ihre Scheinporosität 0,2 bis 25% und ihr Wärmeausddehnungskoeffizient 3,8 x 10·-6·/ DEG C bis 5,5 x 10·-6·/ DEG C.
申请公布号 DE10153556(A1) 申请公布日期 2002.07.18
申请号 DE2001153556 申请日期 2001.10.30
申请人 NGK INSULATORS, LTD.;NGK ADREC CO., LTD. 发明人 KINOSHITA, TOSHIHARU;OGURA, SHIGERU
分类号 C03B32/00;C03C17/32;C04B35/573;C04B35/626;H01J9/02;H01J9/38;H01J11/02;H01J11/20;H01J11/44;H01L21/673;H01L21/683;(IPC1-7):C04B35/565 主分类号 C03B32/00
代理机构 代理人
主权项
地址