| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种结构及其形成方法。一种半导体制作方法包括提供半导体结构的步骤。该半导体结构包括半导体衬底和在半导体衬底上的电容器电极。该电容器电极包括掺杂剂，并且通过电容器电介质层与半导体衬底电绝缘。该半导体结构还包括在半导体衬底上的半导体层。该半导体层包括部分地但不完全地与电容器电极重叠的沟槽。该方法还包括使得电容器电极的一些掺杂剂扩散到半导体层中从而获得掺杂源极/漏极区的步骤。该掺杂源极/漏极区与电容器电极重叠并与沟槽的侧壁邻接。 | ||
| 申请公布号 | CN101086993A | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200710104641.1 | 申请日期 | 2007.05.18 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 程慷果;R·迪瓦卡鲁尼;C·J·拉登斯 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：(a)半导体衬底；(b)在所述半导体衬底上的电容器电极，其中电容器电极包括掺杂剂，以及其中所述电容器电极通过电容器电介质层与所述半导体衬底电绝缘；(c)在所述电容器电极上的第一掺杂源极/漏极区，其中所述掺杂源极/漏极区电耦合到所述电容器电极；以及(d)在所述电容器电极上的栅极电极，其中所述栅极电极部分地但不完全地与所述电容器电极重叠。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||