| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包含以硅为衬底的多个晶体管和电容，其中，氢至少存在于所述硅衬底表面的一部分上，通过将所述表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除所述氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而在硅衬底表面上形成一种硅化合物层，该硅化合物层至少包含构成所述气体分子的一部分的元素。 | ||
| 申请公布号 | CN100352016C | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
| 申请号 | CN01821537.8 | 申请日期 | 2001.12.27 |
| 申请人 | 大见忠弘 | 发明人 | 大见忠弘;须川成利;平山昌树;白井泰雪 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华 |
| 主权项 | 权利要求书1.一种半导体器件，包括形成于硅表面上的硅化合物层，其特征在于，所述硅化合物层至少包含规定的惰性气体，氢含量按面密度换算时在1011/cm2以下。 | ||
| 地址 | 日本宫城县 | ||