| 发明名称 | 一种量子点材料结构及其生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种量子点材料结构，该结构包括：用于支撑整个量子点材料结构的砷化镓GaAs衬底(10)；在GaAs衬底(10)上生长的外延层结构，包括缓冲层(11、12、13)和InAs量子点层(14)；其中，所述缓冲层包括在衬底上依次生长的GaAs缓冲层(11)、In<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>As阶变缓冲层(12)和In<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1－y</SUB>As单一成分层(13)，InAs量子点层(14)生长在In<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1－y</SUB>As单一成分层(13)之上。本发明同时公开了一种量子点材料结构的生长方法。利用本发明，实现利用简单的工艺制备大面积的有序分布的量子点，工艺简单，不需要生长前对基体进行特殊处理工艺，与分子束外延工艺完全兼容。同时易于大面积制备有序排列的自组织量子点阵列材料，对于量子点材料在未来量子器件中的应用具有重要的意义。 | ||
| 申请公布号 | CN101145590A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200610112934.X | 申请日期 | 2006.09.13 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 焦玉恒;吴巨;徐波;金鹏;王占国 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L31/0304(2006.01);H01L31/18(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种量子点材料结构，其特征在于，该结构包括：用于支撑整个量子点材料结构的砷化镓GaAs衬底(10)；在GaAs衬底(10)上生长的外延层结构，包括缓冲层(11、12、13)和InAs量子点层(14)；其中，所述缓冲层包括在衬底上依次生长的GaAs缓冲层(11)、InxGa1-xAs阶变缓冲层(12)和InyGa1-yAs单一成分层(13)，InAs量子点层(14)生长在InyGa1-yAs单一成分层(13)之上。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||