| 发明名称 | 与非闪存装置及形成与非闪存装置的阱的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种NAND闪存装置及形成该NAND闪存装置的阱的方法。多于一个地在单元区中形成NAND闪存装置的三重阱。包括闪存单元的单元区块形成于这种三重阱之上。因此，通过该多个阱，在闪存装置的擦除操作期间，可缩短非选定区块的应力时间并防止擦除干扰。此外，会减少这种三重P阱和该三重N阱之间的电容，因为三重P阱被划分。故可缩短阱偏压充电和放电时间并因此缩短总的擦除时间预算。 | ||
| 申请公布号 | CN100466259C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200510003767.0 | 申请日期 | 2005.01.11 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李熙烈 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄小临;王志森 |
| 主权项 | 1.一种形成NAND闪存装置的阱的方法，包含步骤：在P型半导体基板上形成第一掩膜，通过该第一掩膜，单元区暴露的区域数量为2或3的倍数；使用该第一掩膜作为离子注入掩膜来执行N型离子注入处理，以在该P型半导体基板中形成两个或更多的三重N阱区域；形成第二掩膜，通过该第二掩膜，其中形成该两个或更多的三重N阱区域的半导体基板的该两个或更多的整个三重N阱区域被暴露，或该两个或更多的三重N阱区域暴露的区域数量为2或3的倍数；及使用该第二掩膜作为离子注入掩膜来执行P型离子注入处理，以在该两个或更多的三重N阱区域中形成三重P阱区域。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||