| 摘要 |
(A)성분: 이소폴리산 혹은 헤테로폴리산 또는 이들의 염 또는 이들의 조합과, (B)성분: 폴리실록산, 폴리하프늄옥사이드 혹은 산화지르코늄 또는 이들의 조합을 포함하고, (A)성분과 (B)성분의 합계량에 기초하여 (A)성분을 0.1 내지 85질량%의 비율로 함유하는 레지스트 하층막 형성조성물로서, 이 폴리실록산이 RRSi(R)로 표시되는 가수분해성 실란의 가수분해 축합물이며, (a+b)가 0인 가수분해성 실란이 전체 가수분해성 실란 중 60 내지 85몰% 포함되어 있는 것이며, 이 폴리하프늄옥사이드가 Hf(R)로 표시되는 가수분해성 하프늄의 가수분해 축합물이며, 이 산화지르코늄이 Zr(R), 혹은 ZrO(R)로 표시되는 가수분해성 지르코늄, 또는 이들의 조합의 가수분해 축합물인 조성물. |
