发明名称 晶圆加热装置及半导体制造装置
摘要
申请公布号 TWI353631 申请公布日期 2011.12.01
申请号 TW094121614 申请日期 2005.06.28
申请人 京瓷股份有限公司 日本 发明人 岩田惠治;长崎浩一;中村恒彦
分类号 H01L21/30 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种晶圆加热装置,包含有:板状体,系具有相对向之二个主面,其中一主面系作为载置晶圆之载置面,而另一主面上具有带状之电阻发热体;供电端子,系连接于前述电阻发热体并将电力供给于该电阻发热体;罩体,系设置成在前述板状体之另一主面处并覆盖住前述供电端子;及喷头,具有与前述板状体之另一主面相对向的前端,且可以冷却前述板状体;又,前述带状之电阻发热体之至少表面设有绝缘层,而前述喷头之前端之投影位置系位于前述绝缘层间。
地址 日本