发明名称 SELF-ALIGNED GATE EDGE AND LOCAL INTERCONNECT AND METHOD TO FABRICATE SAME
摘要 자기 정렬 게이트 에지 및 로컬 상호접속 구조들, 및 자기 정렬 게이트 에지 및 로컬 상호접속 구조들의 제조 방법이 설명된다. 일례에서, 반도체 구조는 기판 위에 배치되고 제1 방향으로 길이를 갖는 반도체 핀을 포함한다. 게이트 구조가 반도체 핀 위에 배치되며, 게이트 구조는 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 제2 단부에 대향하는 제1 단부를 갖는다. 게이트 에지 분리 구조들의 쌍이 반도체 핀의 중앙에 배치된다. 게이트 에지 분리 구조들의 쌍 중 제1 게이트 에지 분리 구조가 게이트 구조의 제1 단부에 바로 인접하게 배치되고, 게이트 에지 분리 구조들의 쌍 중 제2 게이트 에지 분리 구조가 게이트 구조의 제2 단부에 바로 인접하게 배치된다.
申请公布号 KR20160098195(A) 申请公布日期 2016.08.18
申请号 KR20167013147 申请日期 2013.12.19
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 WEBB MILTON CLAIR;BOHR MARK;GHANI TAHIR;LIAO SZUYA S.
分类号 H01L29/66;H01L29/423;H01L29/78 主分类号 H01L29/66
代理机构 代理人
主权项
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