发明名称 |
一种沟槽型CoolMOS |
摘要 |
本实用新型属于半导体器件技术领域,一种沟槽型CoolMOS,由下到上依次包括背面金属层、N+衬底、N‑外延层、P‑阱区、n+源区、绝缘层和正面金属层;N+衬底上设置有贯通N+衬底的若干超结沟槽,超结沟槽一端延伸至N‑外延层,超结沟槽内填充有P型硅;P‑阱区设置有贯通P‑阱区和n+源区的若干栅极沟槽,栅极沟槽一端延伸至N‑外延层,栅极沟槽内填充有多晶硅,多晶硅与栅极沟槽之间通过栅氧间隔设置;n+源区设置有贯通n+源区和绝缘层的若干接触孔,接触孔一端延伸至P‑阱区,接触孔内填充有导电金属,且导电金属与正面金属层接触。正面采用栅极沟槽结构,背面挖槽,填充P型硅,达到多次注入扩散P型离子的效果。 |
申请公布号 |
CN205828394U |
申请公布日期 |
2016.12.21 |
申请号 |
CN201620513881.1 |
申请日期 |
2016.05.31 |
申请人 |
苏州同冠微电子有限公司 |
发明人 |
周炳 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 |
代理人 |
翁斌 |
主权项 |
一种沟槽型CoolMOS,其特征在于:由下到上依次包括背面金属层(13)、N+衬底(1)、N‑外延层(2)、P‑阱区(3)、n+源区(7)、绝缘层(8)和正面金属层(10);所述N+衬底(1)上设置有贯通所述N+衬底(1)的若干超结沟槽(11),所述超结沟槽(11)一端延伸至所述N‑外延层(2),所述超结沟槽(11)内填充有P型硅(12);所述的P‑阱区(3)设置有贯通所述P‑阱区(3)和n+源区(7)的若干栅极沟槽(4),所述栅极沟槽(4)一端延伸至N‑外延层(2),所述栅极沟槽(4)内填充有多晶硅(6),所述多晶硅(6)与栅极沟槽(4)之间通过栅氧(5)间隔设置;所述n+源区(7)设置有贯通所述n+源区(7)和所述绝缘层(8)的若干接触孔(9),所述接触孔(9)一端延伸至P‑阱区(3),所述的接触孔(9)内填充有导电金属,且所述导电金属与所述正面金属层(10)接触。 |
地址 |
215617 江苏省苏州市张家港市杨舍镇乘航农鹿南路88号 |