发明名称 |
使用等离子体的成膜方法 |
摘要 |
[课题]本发明提供能够利用电子装置结构的楔形部的膜提高覆盖率的使用等离子体的成膜方法。[解决手段]TFT(30)中,利用由包含四氟化硅气体、四氯化硅气体、氮气及氩气的处理气体生成的电感耦合等离子体形成由氮化硅膜构成的钝化层(37)。 |
申请公布号 |
CN106257618A |
申请公布日期 |
2016.12.28 |
申请号 |
CN201610439083.3 |
申请日期 |
2016.06.17 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
佐佐木和男;高藤哲也;片桐崇良 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种使用等离子体的成膜方法,其特征在于,其由处理气体生成等离子体并利用该等离子体在电子装置结构的楔形部形成包含硅原子的膜,所述处理气体包含均不含氢原子的第一气体及第二气体,所述第一气体包含硅原子及氟原子以外的卤原子,所述硅原子与所述卤原子的原子间键合力小于所述硅原子与所述氟原子的原子间键合力,所述第二气体包含氮原子及氧原子中的至少任一种。 |
地址 |
日本东京都 |