| 发明名称 | 在半导体器件中形成铜配线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种在半导体器件中形成铜配线的方法。本方法使用金属有机化学气相沉积工艺技术，用1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮(3，3-二甲基-1-丁烯)-铜(I)(下文称为(hfac)Cu(DMB))化合物作为铜母材，通过优化设定镀铜设备工艺条件实施，其中镀铜设备具有扩散器、直接液体喷射器(DLI)、控制气化混合器(CEM)或小孔式或喷嘴式气化器。这样，不仅能实现镀铜工艺重现性，而且能得到膜质量良好的铜薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1168130C | 申请公布日期 | 2004.09.22 |
| 申请号 | CN00136108.2 | 申请日期 | 2000.12.22 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 表成奎 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/283 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 武玉琴;朱登河 |
| 主权项 | 1.在半导体器件中形成铜配线的方法，包括步骤：在半导体基片上形成内层绝缘膜，该基片中形成了用来构成半导体器件的各种元件，在所述内层绝缘膜上形成接触窗口和沟槽并随后在包含所述接触窗口和所述沟槽的所述内层绝缘膜表面上形成扩散膜层；通过金属有机化学气相沉积方法利用(hafc)Cu(DMB)母材，在配备反应室的扩散器中镀铜，充分掩盖所述接触窗口和所述沟槽；且通过进行化学机械抛光形成铜配线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||