| 发明名称 | 具有正电荷阻挡层的金属氧化物薄膜晶管器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有正电荷阻挡层的金属氧化物薄膜晶管器件及其制备方法，依次由基板、栅极、绝缘层、金属氧化物半导体有源层、源极、漏极、钝化层构成底栅结构，并在金属氧化物半导体有源层中间沉积一层厚度为0.5～5nm的正电荷阻挡层，形成复合有源功能层。在本发明薄膜晶管器件的各结构中，采用正电荷阻挡层能有效地抑制在光照偏压下空穴向绝缘层/有源层界面处移动，提升薄膜晶体管器件的稳定性，同时使得金属氧化物薄膜晶体管的迁移率不受影响。这种结构容易实现且制备方法简单，同时还能有效地避免氧化物薄膜在刻蚀过程中造成的损伤。适用于大面积制备，可在基于氧化物薄膜晶体管的平板显示器件中获得广泛应用。 | ||
| 申请公布号 | CN105742172A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610225855.3 | 申请日期 | 2016.04.13 |
| 申请人 | 上海大学 | 发明人 | 李俊;黄传鑫;蒋雪茵;张志林 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人 | 顾勇华 |
| 主权项 | 一种具有正电荷阻挡层的金属氧化物薄膜晶管器件，其特征在于：依次由基板（1）、栅极（2）、绝缘层（3）、金属氧化物半导体有源层（4）、源极（6）、漏极（7）、钝化层（8）构成底栅结构，并在所述金属氧化物半导体有源层（4）中间沉积一层厚度为0.5～5nm的正电荷阻挡层（5），形成复合有源功能层。 | ||
| 地址 | 200444 上海市宝山区上大路99号 | ||