Konversionselement und optoelektronisches Bauelement

摘要

Die Erfindung betrifft ein Konversionselement, welches auf einem pixelierten strahlungsemittierenden Halbleiterchip anordbar ist. Das Konversionselement weist eine Trägerschicht, eine Konversionsschicht und eine zwischen der Trägerschicht und der Konversionsschicht angeordnete Zwischenschicht auf. Die Trägerschicht weist ein strahlungsdurchlässiges Trägermaterial auf. Die Konversionsschicht weist ein Konversionsmaterial zur Strahlungskonversion auf. Die Zwischenschicht weist ein Zwischenschichtmaterial mit einem Brechungsindex auf, welcher kleiner ist als ein Brechungsindex des Trägermaterials und ein Brechungsindex des Konversionsmaterials. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein optoelektronisches Bauelement aufweisend einen pixelierten strahlungsemittierenden Halbleiterchip und ein Konversionselement, und ein Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements.