| 摘要 |
(과제) 제조 공정 중에 있어서의 내열성을 가지며, 또한 광전 변환 효율, 감도 및 응답 속도가 양호한 광전 변환 소자 및 그것을 구비한 센서 그리고 촬상 소자를 제공한다. (해결 수단) 광전 변환 소자 (1) 는, 광전 변환층 (32) 과 정공 포집 전극 (20) 사이에 구비된 전자 블로킹층 (31) 을 갖고, 광전 변환층 (32) 이 풀러렌과 p 형 유기 반도체가 혼합되어 이루어지는 복수 층의 벌크 헤테로층 (32) 으로 이루어지고, 복수 층의 벌크 헤테로층 (32) 은 전자 블로킹층 (31) 측의 층일수록 풀러렌의 함유율이 높아지도록 적층되어 이루어지고, 전자 블로킹층 (31) 에 인접하는 제 1 벌크 헤테로층 (32a) 의 풀러렌 함유율이 70 체적％ 이상, 또한, 인접하는 벌크 헤테로층끼리의 풀러렌 함유율의 차가 15 체적％ 이하로 되어 있다. |
