Pulse plasma apparatus and method for operating the same

摘要

본 발명의 기술적 사상에 의한 펄스 플라즈마 장치는 공정 챔버에서 반사되는 반사 전력을 최소화하여 펄스 플라즈마를 이용한 반도체 웨이퍼의 식각 공정의 효율성을 향상시키기 위해, 0이 아닌 복수의 레벨을 가진 펄스 플라즈마 전력을 인가하고, 상기 복수의 레벨의 플라즈마 전력에 따른 임피던스 정합 커패시턴스를 상기 복수의 레벨 플라즈마의 듀티 사이클의 비율에 따라 조합하여 임피던스를 정합할 수 있는 것을 특징으로 한다.