| 发明名称 |
Method for manufacturing Semiconductor device having oxidized barrier layer |
| 摘要 |
반도체 소자 제조 방법은 기판 상에 도핑된 폴리실리콘층을 형성하는 단계와, 도핑된 폴리실리콘층 상에 배리어층을 형성하는 단계와, 배리어층의 표면을 산화시켜 산화 배리어층을 형성하는 단계와, 산화 배리어층 상에 금속층을 형성하는 단계를 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160149101(A) |
申请公布日期 |
2016.12.27 |
| 申请号 |
KR20150086174 |
申请日期 |
2015.06.17 |
| 申请人 |
삼성전자주식회사 |
发明人 |
공명호;김택중;김한영;박정희;서건석;박희숙;이종명 |
| 分类号 |
H01L21/225;H01L21/28;H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/225 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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