发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法。在一半导体衬底上,依次形成氧化硅层,多晶硅层,金属硅化物层和氮化硅层;通过光刻将栅极图案转移到所述膜层上形成栅极;对形成的栅极进行高温退火处理。 | ||
申请公布号 | CN101079376A | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
申请号 | CN200610026761.X | 申请日期 | 2006.05.22 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 吴金刚;高关且;高大为;罗飞 |
分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
主权项 | 1、一种半导体器件的制造方法,其特征在于,该方法包括:提供一个半导体衬底;在所述衬底上形成氧化层;在所述氧化层上形成多晶硅层;在所述多晶硅层上形成金属硅化物层;在所述金属硅化物层上形成氮化硅层;光刻并刻蚀所述氮化硅,金属硅化物,多晶硅和氧化硅;退火。 | ||
地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 |