| 摘要 |
본 발명은 금속-소스 전구체 및 식 I에 따른 세륨계 β-디케토네이트 전구체를 이용하는 화학적 상 증착 공정에 의해 하이-κ 유전성 막을 형성하고 안정화시키는 방법을 제공한다: Ce(L)(식 I), 식에서, L은 β-디케토네이트이고; x는 3 또는 4임. 본 발명은 또한, 식 I에 따른 세륨 전구체를 사용함으로써, 반도체 장치의 하이-κ 게이트 특성을 향상시키는 방법을 제공한다. 또한, 산화하프늄, 산화티타늄 또는 이것들의 혼합물을 포함하고, 유전율을 유지 또는 증가시키는 양의 세륨 원자를 추가로 함유하는, 하이-κ 유전성 막이 제공된다. |
