一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极结构和位于栅极结构两侧的侧壁结构，在侧壁结构外侧的半导体衬底中形成有源/漏区，在源/漏区的顶部形成有自对准硅化物；在半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和层间绝缘层，覆盖栅极结构、侧壁结构和自对准硅化物；依次蚀刻层间绝缘层和接触孔蚀刻停止层，以形成接触孔；在接触孔的侧壁和底部形成阻止后续形成的接触塞向下穿透的阻挡层；在接触孔中形成接触塞。根据本发明，形成的阻挡层可以有效阻止接触塞的穿透，保护阻挡层下方的自对准硅化物不受破坏。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的侧壁结构，在所述侧壁结构外侧的半导体衬底中形成有源/漏区，在所述源/漏区的顶部形成有自对准硅化物；在所述半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和层间绝缘层，覆盖所述栅极结构、所述侧壁结构和所述自对准硅化物；依次蚀刻所述层间绝缘层和所述接触孔蚀刻停止层，以形成接触孔；在所述接触孔的侧壁和底部形成阻止后续形成的接触塞向下穿透的阻挡层；在所述接触孔中形成所述接触塞。