| 发明名称 | 第三族氮化物半导体器件和其半导体层的生产方法 | ||
| 摘要 | 一种第三族氮化物半导体器件和其半导体层的生产方法，其中第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(AlN)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。 | ||
| 申请公布号 | CN1194385C | 申请公布日期 | 2005.03.23 |
| 申请号 | CN00107888.7 | 申请日期 | 2000.06.29 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 千代敏明;柴田直树;千田昌伸;伊藤润;浅见静代;浅见慎也;渡边大志 |
| 分类号 | H01L21/205;H01L21/86;H01L33/00;H01S5/30 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
| 主权项 | 1.一种用于生产第三族氮化物半导体层的方法，其包含如下的步骤：制备一个基片，该基片具有厚度不大于300埃的表面氮化层；在所述基片上形成AlN单晶层；在从1000度到1180度的温度下在AlN单晶层上生长厚度从0.01到3.2微米的第三族氮化物半导体层；及其中AlN单晶层层的X-射线摆动曲线的半值宽度不大于50sec。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县 | ||