基板处理方法和基板处理装置

摘要

本发明提供一种基板处理方法，在基板处理装置的处理室内，将被处理基板载置在载置台上，一边利用加热单元通过载置台将被处理基板加热至700℃以上的处理温度，一边对被处理基板进行处理，在该基板处理方法中，将被处理基板搬入到处理室中，在将其载置在载置台上的状态下进行第一预加热，直至被处理基板到达规定温度，接着，使载置台的基板支撑销上升，在将被处理基板保持在该基板支撑销上的状态下进行第二预加热，此后，使基板支撑销下降，将被处理基板载置在载置台上，进行等离子体氧化处理等处理。

主权项

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：在基板处理装置的处理室内，在将被处理基板载置在载置台上的状态下，进行第一预加热的工序；使所述载置台的基板支撑销上升，在将被处理基板保持在该基板支撑销上的状态下，进行第二预加热的工序；和使所述基板支撑销下降，将被处理基板载置在所述载置台上，一边加热至700℃以上的处理温度一边进行处理的工序。