发明名称 | 一种负温度系数的电流源电路 | ||
摘要 | 本发明公开了一种负温度系数的电流源电路,包括PMOS晶体管MP1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R、运放A1和三极管P1;PMOS晶体管MP1的源极与工作电源VCC连接,PMOS晶体管MP1的漏极通过第三公共点c分别与第一电阻R1一端和第二电阻R2的一端连接,第一电阻R1的另一端连接到第一公共点在a,第二电阻R2的另一端连接到第二公共点b;第一公共点a与通过第三电阻R接地;第二公共点b与三极管P1的发射极连接,三极管P1的集电极和基极接地;第一公共点a还与运放A1的正向输入端连接,第二公共点b还与运放A1的反向输入端连接,运放A1的输出端与PMOS晶体管MP1的栅极连接。本发明提供了一种负温度系数的电流源电路,通过电路来实现电流对温度的微分是负数的效果,结构简单。 | ||
申请公布号 | CN105759895A | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
申请号 | CN201610284752.4 | 申请日期 | 2016.05.03 |
申请人 | 成都振芯科技股份有限公司 | 发明人 | 刘辉;王鑫 |
分类号 | G05F3/28(2006.01)I | 主分类号 | G05F3/28(2006.01)I |
代理机构 | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人 | 袁英 |
主权项 | 一种负温度系数的电流源电路,其特征在于:包括PMOS晶体管MP1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R、运放A1和三极管P1; PMOS晶体管MP1的源极与工作电源VCC连接,PMOS晶体管MP1的漏极与第三公共点c连接,第三公共点c分别与第一电阻R1一端和第二电阻R2的一端连接, 第一电阻R1的另一端连接到第一公共点在a,第二电阻R2的另一端连接到第二公共点b;第一公共点a与第三电阻R的一端连接,第三电阻R的另一端接地;第二公共点b与三极管P1的发射极连接,三极管P1的集电极和基极接地;第一公共点a还与运放A1的正向输入端连接,第二公共点b还与运放A1的反向输入端连接,运放A1的输出端与PMOS晶体管MP1的栅极连接。 | ||
地址 | 610000 四川省成都市高新区高朋大道1号 |