发明名称 HALBLEITERSUBSTRAT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
摘要 Die Beschreibung offenbart ein Verfahren zur Verwendung bei der Herstellung von Halbleitergerät-Chips. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Wafers mit einer Vielzahl von Halbleitergeräten, die jeweils in einem separaten Aktivbereich vorgesehen sind, und für jeden Aktivbereich, außerhalb des Aktivbereichs, das Bereitstellen eines Codemusters, das dem Halbleitergerät zugeordnet ist. Ein computerlesbares Medium ist ebenfalls offenbart. Ferner ist auch eine Herstellungsvorrichtung offenbart, die derart konfiguriert ist, dass sie einen Wafer in Empfang nimmt und Material von dem Wafer entfernt, um so eine Trennlinie am Wafer zu bilden, welche als Graben zur Verwendung beim Zerteilen des Wafers zu Dies verwendet wird. Die Beschreibung offenbart auch einen Wafer, ein Die-Substrat eines Halbleitergerät-Chips, das von einem Ursprungswafer stammt und ein Halbleitergerät enthält, sowie einen Halbleitergerät-Chip.
申请公布号 DE102016107301(A1) 申请公布日期 2016.11.03
申请号 DE201610107301 申请日期 2016.04.20
申请人 Infineon Technologies AG 发明人 Engelhardt, Manfred;Roesner, Michael;Stranzl, Gudrun;Zgaga, Martin
分类号 H01L23/544;B81B7/02;B81C1/00;H01L21/301;H01L21/3065 主分类号 H01L23/544
代理机构 代理人
主权项
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