| 发明名称 | 半导体发光装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层以及布置在第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层；波长转换层，其布置在发光堆叠件上，并且被构造为将从有源层发射的具有第一波长的光中的至少一部分转换为具有第二波长的光；以及光控制层，其布置在发光堆叠件与波长转换层之间，并且包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层的折射率比发光堆叠件的折射率低，并且第二绝缘层的折射率比第一绝缘层的折射率高0.5或更多。 | ||
| 申请公布号 | CN106257696A | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201610437305.8 | 申请日期 | 2016.06.17 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 黄京旭;金时汉;林完泰;申珢珠 |
| 分类号 | H01L33/50(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/50(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 张帆;崔卿虎 |
| 主权项 | 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层和布置在第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间的有源层；波长转换层，其布置在发光堆叠件上，并且被构造为将从有源层发射的具有第一波长的光中的至少一部分转换为具有第二波长的光；以及光控制层，其布置在发光堆叠件与波长转换层之间，并且包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层的折射率比发光堆叠件的折射率低，并且第二绝缘层的折射率比第一绝缘层的折射率高0.5或更多。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||