发明名称 |
具有防篡改性的非易失性存储装置以及集成电路卡 |
摘要 |
本发明的一实施方式涉及一种非易失性存储装置,其具备:存储器阵列,其具有多个非易失性存储单元;读出电路,其在所述多个非易失性存储单元中,选择属于由至少1个阈值加以判别的多个电阻值范围中的1个电阻值范围的多个非易失性存储单元,并取得与选择的属于所述1个电阻值范围的多个非易失性存储单元各自的电阻值有关的多个电阻值信息;运算电路,其基于由所述读出电路取得的所述多个电阻值信息而算出2值化基准值;以及识别信息生成电路,其生成个体识别信息;其中,所述读出电路根据所述电阻值信息和所述2值化基准值之间的关系而取得第1数字数据;所述识别信息生成电路取得与所述第1数字数据不同且与所述电阻值不相关的第2数字数据,并以所述第1数字数据和所述第2数字数据为基础而生成所述个体识别信息。 |
申请公布号 |
CN106257590A |
申请公布日期 |
2016.12.28 |
申请号 |
CN201610299503.2 |
申请日期 |
2016.05.09 |
申请人 |
松下知识产权经营株式会社 |
发明人 |
加藤佳一 |
分类号 |
G11C13/00(2006.01)I;H04L9/32(2006.01)I;H04L9/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C13/00(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
刘凤岭;陈建全 |
主权项 |
一种非易失性存储装置,其具备:存储器阵列,其具有多个非易失性存储单元;读出电路,其在所述多个非易失性存储单元中,选择属于由至少1个阈值加以判别的多个电阻值范围中的1个电阻值范围的多个非易失性存储单元,并取得与选择的属于所述1个电阻值范围的多个非易失性存储单元各自的电阻值有关的多个电阻值信息;运算电路,其基于由所述读出电路取得的所述多个电阻值信息而算出2值化基准值;以及识别信息生成电路,其生成个体识别信息;其中,所述读出电路根据所述电阻值信息和所述2值化基准值之间的关系而取得第1数字数据;所述识别信息生成电路取得与所述第1数字数据不同且与所述电阻值不相关的第2数字数据,以所述第1数字数据和所述第2数字数据为基础而生成所述个体识别信息。 |
地址 |
日本大阪府 |