| 发明名称 | 存储单元阵列及其制法 | ||
| 摘要 | 在存储单元阵列内提供第1和第2导线,在其交叉处安排具有磁致电阻效应的存储元。提供一磁轭,分别包围导线之一并包含具有导磁率至少为10的可磁化材料。该磁轭是如此安排的,使得通过磁轭磁通基本上经存储元闭合。 | ||
| 申请公布号 | CN1312943A | 申请公布日期 | 2001.09.12 |
| 申请号 | CN99809580.X | 申请日期 | 1999.08.02 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | S·施瓦茨尔 |
| 分类号 | G11C11/16 | 主分类号 | G11C11/16 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;张志醒 |
| 主权项 | 1、存储单元阵列，其特征为：-其中，提供至少一条第1导线(L1)，一条第2导线(L2)，和一条具有磁致电阻效应的存储元(SE)，-其中，存储元安排在第1导线(L1)和第2导线(L2)之间的交叉处，-其中，安排一磁轭(J)，它局部包围导线(L2)之一，并包含具有相对导磁率至少为10的可磁化材料，-其中，如此安排一磁轭(J)，使得通过磁轭的磁通经存储元(SE)基本闭合。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||