| 发明名称 | 积层电容器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可同时满足高静电电容和低ESL的积层电容器。介电体芯片101的构造为，将位于同一平面且互相不接触的第1内部导体层112及第2内部导体层113、与位于同一平面且互相不接触的第3内部导体层114及第4内部导体层115介隔介电体层111而交替积层成一体，并且将所述介电体芯片101构成为，可通过引出部112a、115a，从第1外部电极102对第1内部导体层112和第4内部导体层115赋予一个极性，并可通过引出部113a、114a，从第2外部电极103对第2内部导体层113和第4内部导体层114赋予另一极性。 | ||
| 申请公布号 | CN101055802A | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200710095873.5 | 申请日期 | 2007.04.10 |
| 申请人 | 太阳诱电株式会社 | 发明人 | 清水政行;藤川巌;涩谷和行 |
| 分类号 | H01G4/30(2006.01);H01G4/005(2006.01) | 主分类号 | H01G4/30(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
| 主权项 | 1.一种积层电容器，其特征在于：包括：长方体形状的介电体芯片；以及8个以上的外部电极，其设置在介电体芯片的侧面上，且交替被赋予不同极性；介电体芯片的构造为，将位于同一平面且互相不接触的第1内部导体层及第2内部导体层、与位于同一平面且互相不接触的第3内部导体层及第4内部导体层介隔介电体层，而交替积层成一体；第1内部导体层与第3内部导体层介隔介电体层而相向，第2内部导体层与第4内部导体层介隔介电体层而相向；第1内部导体层在其侧缘至少具有2个外部电极用引出部，且各外部电极用引出部分别与一个极性的外部电极连接；第2内部导体层在其侧缘至少具有2个外部电极用引出部，且各外部电极用引出部分别与另一极性的外部电极连接；第3内部导体层在其侧缘至少具有2个外部电极用引出部，且各外部电极用引出部分别与另一极性的其他外部电极连接；并且第4内部导体层在其侧缘至少具有2个外部电极用引出部，且各外部电极用引出部分别与一个极性的其他外部电极连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||