发明名称 |
同轴馈电电容加载的半槽天线 |
摘要 |
同轴馈电电容加载的半槽天线涉及一种缝隙天线,该天线包括介质基板(1)、介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、同轴馈线(4);金属地(2)上有辐射槽缝(3);辐射槽缝(3)的一端短路,另一端(6)开路;在辐射槽缝(3)有数个电容(7)并联跨接在其边缘;同轴馈线(4)的一端是天线的端口(8),同轴馈线(4)另一端的内导体(9)跨过辐射槽缝(3),在辐射槽缝(3)的边缘(10),与金属地(2)连接。该天线可减少天线尺寸、交叉极化。 |
申请公布号 |
CN105762524A |
申请公布日期 |
2016.07.13 |
申请号 |
CN201610218744.X |
申请日期 |
2016.04.08 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
赵洪新;刘艳群;殷晓星 |
分类号 |
H01Q13/10(2006.01)I;H01Q5/10(2015.01)I;H01Q5/314(2015.01)I;H01Q1/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01Q13/10(2006.01)I |
代理机构 |
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 |
代理人 |
杨晓玲 |
主权项 |
一种同轴馈电电容加载的半槽天线,其特征在于该天线包括介质基板(1)、设置在介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、同轴馈线(4);介质基板(1)的一面是金属地(2),同轴馈线(4)的外导体(5)与金属地(2)相贴连接;金属地(2)上有辐射槽缝(3),辐射槽缝(3)的形状是矩形,辐射槽缝(3)位于金属地(2)的中心;辐射槽缝(3)的一端短路,另一端(6)开路;有数个电容(7)并联跨接在辐射槽缝(3)的两个边缘,使得辐射槽缝(3)的特性阻抗变低;同轴馈线(4)的一端是天线的端口(8),同轴馈线(4)另一端的内导体(9)跨过辐射槽缝(3),在辐射槽缝(3)的边缘(10),与金属地(2)连接。 |
地址 |
211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号 |