| 摘要 |
본 발명은, 제1 기질(35)의 제1 접촉 표면(35k)을 제2 기질(36)의 제2 접촉 표면(36k)에 결합시키기 위한 방법 및 해당 장치에 관한 것이고, 특히 제1 가열 시스템(30)의 제1 가열 표면(15) 및 제2 가열 시스템(26)의 제2 가열 표면(19)사이에서 상기 접촉 표면(35k,36k)들위에 정렬되고 상기 제1 기질(35)과 제2 기질(36)에 의해 형성되는 기질 스택(14)을 배열하는 단계를 포함하고, a) 상기 제1 가열 표면(15)이 상기 제1 기질(35)의 제1 표면(35o)을 향하고 제1 접촉 표면(35k)으로부터 멀어지는 방향을 향하여 배열되며, b) 상기 제2 가열 표면(19)이 상기 제2 기질의 제2 표면(36o)을 향하고 제2 접촉 표면(36k)으로부터 멀어지는 방향을 향하여 배열되며, c) 상기 제1 표면(35o)과 제1 가열 표면(15)사이에 이격 거리(A) >0μm가 존재하고, d) 상기 제2 표면(36o)과 제2 가열 표면(19)사이에 이격 거리(B) >0μm가 존재하며, 상기 가열 표면(15,19)들을 가열하고 상기 이격거리(A,B)를 0μm로 감소시켜서 상기 기질 스택(14)을 상기 가열표면(15,19)들로 접근시키는 단계를 포함하고, 상기 표면(35o,36o)들위에서 상기 기질 스택(14)을 가압하여 상기 제1 접촉 표면(35k) 및 제2 접촉 표면(36k)사이에 결합을 형성하는 단계 특히 시퀀스를 포함한다. |
