一种用于光电器件的多重量子阱结构

摘要

本实用新型涉及一种用于光电器件的多重量子阱结构，应用于氮化镓基光电器件中，该光电器件包括由基板至表层的N型半导体层、多重量子阱层、P型电子阻挡层和P型半导体层；所述多重量子阱层是由势垒层和势阱层交叠而成，在多重量子阱层结构中，最靠近P型半导体层的势阱层铟组分的厚度小于其它势阱层，如此可补偿最靠近P型半导体层的势阱层因受电子阻挡层压电场的影响，改善带隙倾斜较其它势阱层大的问题，利用工程调整方式，以达到有效提高氮化镓基光电器件的发光纯度。

主权项

一种用于光电器件的多重量子阱结构，该光电器件包括由基板至表层的N型半导体层、多重量子阱层、P型电子阻挡层和P型半导体层；其特征在于：所述多重量子阱层是由势垒层和势阱层交叠而成，在多重量子阱层结构中，最靠近P型半导体层的势阱层铟组分的厚度小于其它势阱层。