| 发明名称 | 磁记录膜用溅射靶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种磁记录膜用溅射靶，含有SiO2，其特征在于，含有10～1000重量ppm的B(硼)。本发明的课题在于得到磁记录膜用溅射靶，其抑制该靶中造成溅射时产生粉粒的方英石的形成，能够缩短预烧时间，并且能够在磁控溅射装置中进行稳定的放电。 | ||
| 申请公布号 | CN103168328B | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201180050302.4 | 申请日期 | 2011.11.09 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 高见英生;奈良淳史;荻野真一;中村祐一郎 |
| 分类号 | G11B5/851(2006.01)I;B22F3/10(2006.01)I;B22F9/08(2006.01)I;C22C1/05(2006.01)I;C22C19/07(2006.01)I;C22C32/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;G11B5/64(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/851(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 金龙河;穆德骏 |
| 主权项 | 一种磁记录膜用溅射靶，含有SiO<sub>2</sub>，其特征在于，含有10～1000重量ppm的B(硼)。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||