| 发明名称 | 高性能和大容量储存重复删除中的数据完整性和损耗电阻 | ||
| 摘要 | 一种利用重复删除过程的存储系统可以包括：控制器、储存介质以及包括元数据日志和元数据高速缓冲存储器的非易失性RAM，元数据高速缓冲存储器包括地址表和辨别表，以及元数据日志包括多个事务，所述多个事务指示事务是否被成功写入储存介质中。 | ||
| 申请公布号 | CN105843551A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201610065709.9 | 申请日期 | 2016.01.29 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 因德拉·G·哈里约诺;张延;柴震川 |
| 分类号 | G06F3/06(2006.01)I | 主分类号 | G06F3/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 李少丹;许伟群 |
| 主权项 | 一种利用重复删除过程的存储系统，包括：控制器；储存介质；以及非易失性RAM，包括元数据日志和元数据高速缓冲存储器；其中，元数据高速缓冲存储器包括地址表和辨别表；以及其中，元数据日志包括多个事务，所述多个事务指示事务是否被成功写入至储存介质上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||