| 发明名称 | 杂质导入方法、半导体元件的制造方法及半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种杂质导入方法，其以超过热力学平衡浓度的高浓度向杂质元素的扩散系数极小的固体材料导入杂质元素。杂质导入方法包括：以考虑到光脉冲的每1次的照射时间(τ)和光脉冲的能量密度F而确定的膜厚(t<sub>f</sub>)，在由固体材料构成的对象物(半导体基板)的表面上堆积含有杂质元素的杂质源膜的步骤(S1～S4)；和以照射时间(τ)和能量密度(F)向杂质源膜照射光脉冲，以超过热力学平衡浓度的浓度向对象物导入杂质元素的步骤(S5)。 | ||
| 申请公布号 | CN105914140A | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201610105791.3 | 申请日期 | 2016.02.25 |
| 申请人 | 国立大学法人九州大学;富士电机株式会社 | 发明人 | 池田晃裕;池上浩;浅野种正;井口研一;中泽治雄;吉川功 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;王昊 |
| 主权项 | 一种杂质导入方法，其特征在于，包括：以考虑到光脉冲的每1次的照射时间和所述光脉冲的能量密度而确定的膜厚，在由固体材料构成的对象物的表面上堆积含有杂质元素的杂质源膜的步骤；和以所述照射时间和所述能量密度向所述杂质源膜照射所述光脉冲，以超过热力学平衡浓度的浓度向所述对象物导入所述杂质元素的步骤。 | ||
| 地址 | 日本福冈县 | ||