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发明名称
SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
摘要
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 장치는 활성 영역이 정의된 고전압 트랜지스터 영역을 포함하는 기판; 상기 활성 영역 내에 이격되어 배치된 절연 기둥들; 상기 절연 기둥들에 양단이 중첩되도록 상기 기판 상에 배치된 게이트 전극; 및 상기 절연 기둥들에 중첩되도록 상기 게이트 전극 내부에 매립된 식각 정지 패턴들을 포함한다.
申请公布号
KR20160114907(A)
申请公布日期
2016.10.06
申请号
KR20150041377
申请日期
2015.03.25
申请人
SK HYNIX INC.
发明人
KWAK, SANG HYON
分类号
H01L27/06;H01L29/423
主分类号
H01L27/06
代理机构
代理人
主权项
地址
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