发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
摘要 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 장치는 활성 영역이 정의된 고전압 트랜지스터 영역을 포함하는 기판; 상기 활성 영역 내에 이격되어 배치된 절연 기둥들; 상기 절연 기둥들에 양단이 중첩되도록 상기 기판 상에 배치된 게이트 전극; 및 상기 절연 기둥들에 중첩되도록 상기 게이트 전극 내부에 매립된 식각 정지 패턴들을 포함한다.
申请公布号 KR20160114907(A) 申请公布日期 2016.10.06
申请号 KR20150041377 申请日期 2015.03.25
申请人 SK HYNIX INC. 发明人 KWAK, SANG HYON
分类号 H01L27/06;H01L29/423 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
主权项
地址