| 摘要 |
Eine Halbleiterbauelementstruktur und ein Verfahren zum Herstellen derselben werden bereitgestellt. Die Halbleiterbauelementstruktur umfasst eine erste Metallschicht, die über einem Substrat gebildet wird, und eine dielektrische Schicht, die über der ersten Metallschicht gebildet wird. Die Halbleiterbauelementstruktur umfasst ferner eine Haftschicht, die in der dielektrischen Schicht und über der ersten Metallschicht gebildet wird, und eine zweite Metallschicht, die in der dielektrischen Schicht gebildet wird. Die zweite Metallschicht ist elektrisch mit der ersten Metallschicht verbunden, und ein Abschnitt der Haftschicht wird zwischen der zweiten Metallschicht und der dielektrischen Schicht gebildet. Die Haftschicht umfasst einen ersten Abschnitt, der eine Verlaufslinie mit einem oberen Abschnitt der zweiten Metallschicht säumt, und der erste Abschnitt weist einen ausgedehnten Abschnitt entlang einer vertikalen Richtung auf. |
