| 摘要 |
Eine integrierte Schaltung enthält eine Source-Drain-Region, eine Kanalregion, welche der Source-Drain-Region benachbart ist, eine Gate-Struktur, welche sich über die Kanalregion erstreckt und einen Seitenwand-Abstandshalter auf einer Seite der Gate-Struktur, welcher sich über die Source-Drain-Region erstreckt. Es ist eine Dielektrikumsschicht vorgesehen, welche mit dem Seitenwand-Abstandshalter in Kontakt steht und eine obere Fläche aufweist. Die Gate-Struktur enthält eine Gate-Elektrode und einen Gate-Kontakt, welcher sich von der Gate-Elektrode als Vorsprung erstreckt, um die obere Fläche zu erreichen. Die Seitenflächen der Gate-Elektrode und ein Gate-Kontakt fluchten miteinander. Die Gate-Dielektrikumsschicht für den Transistor, welche zwischen der Gate-Elektrode und der Kanalregion liegt, erstreckt sich zwischen der Gate-Elektrode und dem Seitenwand-Abstandshalter und außerdem zwischen dem Gate-Kontakt und dem Seitenwand-Abstandshalter. |
