半导体陶瓷组合物和使用该组合物的半导体陶瓷元件

摘要

公开了一种具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分；选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分；以及B的氧化物。该组合物的烧结密度高，由其制得的半导体陶瓷元件可用于防止骤增电流、用于延迟电动机启动，或者用于与温度补偿的晶体振荡器一起使用或用于温度补偿。

主权项

1.一种具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括：氧化钴镧作为主组分；选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分；以及B的氧化物，所述选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物的总含量换算成元素含量，为0.001-10摩尔％，B的氧化物的含量换算成元素B的含量，为0.0001-5摩尔％，氧化钴镧的形式为LaxCoO3，其中0.60≤x≤0.99。