氮化硅只读存储器组件的制造方法

摘要

一种氮化硅只读存储器组件的制造方法，此方法是依次于基底中形成氮化硅只读存储器存储单元与一接地掺杂区后，于基底上形成一接触窗。接着，形成一金属保护线，此金属保护线与氮化硅只读存储器存储单元的一字线电性连接，且金属保护线通过接触窗与接地掺杂区电性连接，使工艺过程中所产生的电荷可以导入基底中。而金属保护线的阻值高于字线，可于基底上形成金属互连后，通过施加一高电流以烧断金属保护线，使只读存储器组件可以正常操作。

主权项

1、一种氮化硅只读存储器的制造方法，其特征是，该方法包括：于一基底中形成一氮化硅只读存储器存储单元；于该基底形成一接地掺杂区；于该基底上形成一接触窗；于该基底形成一金属保护线，该金属保护线与该氮化硅只读存储器存储单元的一字线电性连接，且该金属保护线通过该接触窗与该接地掺杂区电性连接，而该金属保护线的阻值高于该字线；于该基底上形成一金属互连；以及当工艺过程结束后，施加一高电流以烧断该金属保护线。