发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体装置及其制造方法,其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法,提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域,防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后,沿切割线形成切口(30),再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此,能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。 |
申请公布号 |
CN100367451C |
申请公布日期 |
2008.02.06 |
申请号 |
CN200410056261.1 |
申请日期 |
2004.08.06 |
申请人 |
三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 |
发明人 |
野间崇;北川胜彦;大塚久夫;铃木彰;关嘉则;高尾幸弘;山口惠一;和久井元明;饭田正则 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李贵亮;杨梧 |
主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具有如下工序:经由在包括多个半导体芯片的半导体基板的第一面上形成的第一绝缘膜,在从所述多个半导体芯片的边界分离开的位置上配置第一配线,通过粘接剂粘接支承体,以覆盖形成所述第一配线;有选择地除去所述半导体基板的一部分,并使所述第一配线以及位于所述第一配线下部的所述第一绝缘膜露出而形成开口部。 |
地址 |
日本大阪府 |