发明名称 | 一种薄膜晶体管的制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法,此方法利用激光回火进行热处理,使上述岛状非晶硅图案转变成为一多晶硅岛状图案,并同时活性化上述离子掺杂区域的离子,再在上述多晶硅岛状图案上形成一钝化层,接着,选择性刻蚀上述钝化层,以形成一露出上述离子掺杂区域的开口。然后,形成一填入上述开口的金属层,以形成源极/漏极电极。最后,本发明形成源极/漏极电极之后才进行氢离子处理,以减少多晶硅之中的悬键。 | ||
申请公布号 | CN100367479C | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
申请号 | CN200510007275.9 | 申请日期 | 2005.02.06 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 黄添钧 |
分类号 | H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 任默闻 |
主权项 | 1.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于包括:在一基板上方形成一非晶硅层,该非晶硅层之中含有第一浓度的氢原子;进行第一次热处理,使该非晶硅层之中含有第二浓度的氢原子,该第二浓度小于该第一浓度;图案化该非晶硅层,以形成一岛状非晶硅图案;在该岛状非晶硅图案上覆盖一绝缘层;在该绝缘层上形成一栅极电极;以该栅极电极为光掩膜,且植入离子于该岛状非晶硅图案,以在该岛状非晶硅图案内形成离子掺杂区域;利用激光回火进行第二次热处理,使该岛状非晶硅图案转变成为一多晶硅岛状图案,并同时活性化该离子掺杂区域之离子;在所述多晶硅岛状图案上形成一钝化层;选择性刻蚀该钝化层和该绝缘层,以形成一露出该离子掺杂区域的开口;以及形成一填入该开口的金属层,以形成源极/漏极电极。 | ||
地址 | 台湾省新竹市 |