| 发明名称 | 薄膜磁性体存储器 | ||
| 摘要 | 在执行数据存储的正规MTJ存储单元(MC)被配置成矩阵状的MTJ存储单元阵列(10)的外围部中，还设置有按照与MTJ存储单元同样的尺寸和结构设计的形状虚设单元(SDC)。MTJ存储单元(MC)和形状虚设单元(SDC)被连续地配置成在整体上具有均匀间距。因此，在分别位于MTJ存储单元阵列(10)的中心部和边界部的MTJ存储单元之间，可消除因周围的存储单元的密度疏密引起的制造时的不均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN100367404C | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN03148762.9 | 申请日期 | 2003.06.25 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 大石司 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01);H01L43/00(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种薄膜磁性体存储器，其特征在于：包括连续地配置了多个磁性体存储单元的存储单元阵列，各上述磁性体存储单元包含具有在与存储数据对应的方向上其中至少1个被磁化的多个磁性体层的磁存储元件，在上述存储单元阵列外部，还包括与上述多个磁性体存储单元连续地配置的多个形状虚设单元，各上述形状虚设单元包含被设计成与上述磁存储元件有相同的结构和尺寸的虚设磁存储元件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||