| 发明名称 | 沟槽隔离结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有掩膜层，所述掩膜层暴露出部分衬底表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部表面形成衬垫层；在形成所述衬垫层之后，对所述掩膜层的侧壁进行刻蚀，暴露出所述沟槽周围的部分衬底表面；在对所述掩膜层的侧壁进行刻蚀之后，以所述掩膜层和衬垫层为掩膜，在所暴露出的衬底表面掺杂改性离子，在所暴露出的衬底表面形成阻挡层，且所述阻挡层位于包围所述沟槽顶部的衬底表面；在形成阻挡层之后，在所述衬垫层表面形成填充满沟槽的隔离层。所形成的沟槽隔离结构的隔离效果良好。 | ||
| 申请公布号 | CN105655284A | 申请公布日期 | 2016.06.08 |
| 申请号 | CN201410640608.0 | 申请日期 | 2014.11.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有掩膜层，所述掩膜层暴露出部分衬底表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部表面形成衬垫层；在形成所述衬垫层之后，对所述掩膜层的侧壁进行刻蚀，暴露出所述沟槽周围的部分衬底表面；在对所述掩膜层的侧壁进行刻蚀之后，以所述掩膜层和衬垫层为掩膜，在所暴露出的衬底表面掺杂改性离子，在所暴露出的衬底表面形成阻挡层，且所述阻挡层位于包围所述沟槽顶部的衬底表面；在形成阻挡层之后，在所述衬垫层表面形成填充满沟槽的隔离层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||