一种新型功率半导体器件及其边缘终端结构

摘要

本实用新型公开了一种新型功率半导体器件及其边缘终端结构，包括多段浮空场板和功率芯片，多段浮空场板的下表面焊接有底板，功率芯片包括结型场效应晶体管和结型势垒肖特基二极管，结型场效应晶体管包括P型沟道区、N型漂移区和阴极P型体区，P型沟道区的左边N型漂移区引出有阳极N⁺区，右边N型漂移区引出发射极N⁺区；结型势垒肖特基二极管包括N型基片和阳极金属，N型基片和阳极金属之间填充有N^‑外延层；结型场效应晶体管和结型势垒肖特基二极管均连接有阴极金属层；多段浮空场板的两侧刻蚀有深沟刻槽，中心蚀刻有中心区槽，阴极P型体区两侧填接有P型柱体；结型势垒肖特基二极管的N型基片与阴极金属层之间垫衬有N⁺阴极层。

主权项

一种新型功率半导体器件及其边缘终端结构，包括多段浮空场板（1）和功率芯片（2），所述多段浮空场板（1）的下表面通过焊料层焊接有底板（3），其特征在于：所述功率芯片（2）由结型场效应晶体管（4）和结型势垒肖特基二极管（5）并联复合而成，所述结型场效应晶体管（4）包括P型沟道区（6）、N型漂移区(7)和阴极P型体区（10），所述P型沟道区（6）镶嵌在N型漂移区(7)的中间，P型沟道区（6）的左边N型漂移区(7)引出有阳极N⁺区(8)，P型沟道区（6）的右边N型漂移区(7)引出发射极N⁺区(9)；所述阴极P型体区（10）淀积在N型漂移区(7)的下表面；所述结型势垒肖特基二极管（5）包括N型基片（11）和阳极金属（12），所述N型基片（11）和阳极金属（12）之间填充有N^‑外延层（13）；所述结型场效应晶体管（4）和结型势垒肖特基二极管（5）均连接有阴极金属层（15）。