发明名称 一种分段线性磁控忆阻器的模拟等效电路
摘要 本实用新型涉及一种分段线性磁控忆阻器的模拟等效电路,电路由跟随器、反相器、反相积分器、窗口比较器、压控开关和负阻抗转换器串联构成;运放U<sub>1</sub>构成跟随器,主要起隔离作用,U<sub>2</sub>构成反相器,U<sub>3</sub>为反相积分器实现对忆阻器端口电压的积分,反相积分器的输出v<sub>3out</sub>对应忆阻器的内部状态控制变量φ(t);运放U<sub>4</sub>和U<sub>5</sub>构成窗口比较器,其输出电平控制压控开关S的通断;运放U<sub>6</sub>及外围电阻构成负阻抗转换电路。当v<sub>3out</sub>≤1时,窗口比较器的输出为低电平,压控开关处于断开状态,此时忆阻器的电导为‑1/R<sub>a</sub>,当v<sub>3out</sub>>1时,窗口比较器输出为高电平,压控开关处于导通状态,此时忆阻器对应的电导为(‑1/R<sub>a</sub>+1/R<sub>b</sub>)。
申请公布号 CN205810384U 申请公布日期 2016.12.14
申请号 CN201620715636.9 申请日期 2016.07.07
申请人 江南大学 发明人 潘丰;高敏
分类号 G11C13/00(2006.01)I 主分类号 G11C13/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种分段线性磁控忆阻器的模拟等效电路,其特征在于,电路由跟随器、反相器、反相积分器、窗口比较器、压控开关和负阻抗转换器串联构成;运算放大器U<sub>1</sub>构成跟随器,主要起隔离作用;运算放大器U<sub>2</sub>和三个电阻R<sub>4</sub>=R<sub>5</sub>=R<sub>6</sub>=10K构成反相器;运算放大器U<sub>3</sub>、三个电阻R<sub>7</sub>=3K、R<sub>8</sub>=68K、R<sub>10</sub>=1K和一个电容C<sub>5</sub>=47μF构成反相积分器,实现对忆阻器端口电压的积分;运算放大器U<sub>4</sub>和U<sub>5</sub>、二个1VDC电源、一个电阻R<sub>10</sub>=10K及二个二极管D1和D2构成窗口比较器,其输出电平控制压控开关S的通断;压控开关S采用高速集成开关ADG2012AKN,电源电压为±12V,R<sub>a</sub>=2.5K,R<sub>b</sub>=6K;运算放大器U<sub>6</sub>及二个电阻R<sub>11</sub>=3K、R<sub>12</sub>=68K构成负阻抗转换电路;运算放大器采用AD711AKN;反相积分器的输出v<sub>3out</sub>对应忆阻器的内部状态控制变量φ(t),窗口比较器的输出电平控制压控开关S的通断,当v<sub>3out</sub>≤1时,窗口比较器的输出为低电平,压控开关处于断开状态,此时忆阻器的电导为‑1/R<sub>a</sub>,当v<sub>3out</sub>>1时,窗口比较器输出为高电平,压控开关处于导通状态,此时忆阻器对应的电导为(‑1/R<sub>a</sub>+1/R<sub>b</sub>)。
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