| 发明名称 | 功率电路组件及制造方法 | ||
| 摘要 | 一种功率电路组件(10)包括基底(12)，该基底(12)包括衬底(14)，在衬底之上的多个互连电路层(16)，每个互连电路层(16)包括形成有衬底电互连线(20)图案的衬底绝缘层(18)，和从衬底的顶部表面延伸到至少一个衬底电互连线(20)的通路接线(22，24)；以及包括功率半导体器件(28)的功率半导体模块(26)，每个功率半导体器件(28)包括在各自功率半导体器件的顶部表面上的器件焊盘(30)和在各自功率半导体器件的底部表面上的背面触点(31)，功率半导体器件与薄膜结构(32)耦合，该薄膜结构包括薄膜绝缘层(34)和在薄膜绝缘层之上并选择性地延伸到器件焊盘的薄膜电互连线(36)，其中背面触点(31)与选择的衬底电互连线或者通路接线耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN1956192A | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200610160598.6 | 申请日期 | 2006.10.26 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | E·C·德尔加多;R·A·博普雷 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L25/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京;杨松龄 |
| 主权项 | 1、一种功率电路组件(10)，包括：基底(12)，包括衬底(14)，在衬底之上的多个互连电路层(16)，每个互连电路层(16)包括形成有衬底电互连线(20)图案的衬底绝缘层(18)，和从衬底的顶部表面延伸到至少一个衬底电互连线(20)的通路接线(22、24)；以及功率半导体模块(26)，包括功率半导体器件(28)，每个功率半导体器件(28)包括在各自功率半导体器件的顶部表面上的器件焊盘(30)和在各自功率半导体器件的底部表面上的背面触点(31)，功率半导体器件与薄膜结构(32)耦合，该薄膜结构包括薄膜绝缘层(34)和在薄膜绝缘层之上并选择性地延伸到器件焊盘的薄膜电互连线(36)，其中背面触点(31)与所选择的衬底电互连线或者通路接线耦合。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||