闪存译码电路测试方法

摘要

一种闪存译码电路测试方法，闪存译码电路包括：呈m行n列阵列排布的存储单元，其中m和n为正偶数；同一列中，从第一个存储单元开始，每相邻两个存储单元为一个镜像对称结构，一个镜像对称结构的两个存储单元连接同一条字线；闪存译码电路测试方法包括：将m行n列存储单元全部划分为呈2s行s列阵列；按以下次序对相应的行译码器和列译码器进行测试：对第k列第2k-1行所在存储单元对应的行译码器和列译码器进行测试；对第k列第2k行所在存储单元对应的行译码器和列译码器进行测试；其中，s为正整数，2s小于等于m且2s小于等于n，k为1至s的整数。所述测试方法能够对具有镜像对称结构的存储单元阵列进行全面有效的测试。

主权项

一种闪存译码电路测试方法，闪存译码电路包括：呈m行n列阵列排布的存储单元，其中m和n为正偶数；同一列中，从第一个所述存储单元开始，每相邻两个所述存储单元为一个镜像对称结构，一个所述镜像对称结构的两个所述存储单元连接同一条字线；每个所述存储单元都连接其所在行的行译码器和其所在列的列译码器；其特征在于，闪存译码电路测试方法包括：将m行n列所述存储单元全部划分为呈2s行s列阵列，在划分过程中，每次划分出的阵列都为剩余所述存储单元能够划分出的最大2s行s列阵列；对每个2s行s列阵列都进行测试，从第一列所述存储单元开始至第s列所述存储单元，按以下次序对相应的所述行译码器和所述列译码器进行测试：对第k列第2k‑1行所在存储单元对应的所述行译码器和所述列译码器进行测试；对第k列第2k行所在存储单元对应的所述行译码器和所述列译码器进行测试；其中，s为正整数，2s小于等于m且2s小于等于n，k为1至s的整数。