高压直流氮化镓基发光二极管及其制造方法

摘要

本发明提供的一种高压直流氮化镓基发光二极管及其制造方法，包括衬底以及设置在所述衬底上的多个外延层；其中所述外延层包括依次设置在所述衬底表面上的氮化镓缓冲层、n型氮化镓层、多量子阱有源层及p型氮化镓层；在所述外延层上设有ITO透明导电层，所述外延层与所述ITO透明导电层形成LED单胞；相邻的所述LED单胞之间通过金属线互联。与现有技术相比，本发明的有益效果如下：三维ITO透明导电层可以有效提高光输出功率；通过调整ICP刻蚀工艺参数使梯形隔离沟槽的底角为120度～150度之间，以便互联金属线可以保形覆盖在隔离沟槽上，从而提高产品良率。

主权项

一种高压直流氮化镓基发光二极管，包括衬底以及设置在所述衬底上的多个外延层；其中所述外延层包括依次设置在所述衬底表面上的氮化镓缓冲层、n型氮化镓层、多量子阱有源层及p型氮化镓层；其特征在于，在所述外延层上设有ITO透明导电层，所述外延层与所述ITO透明导电层形成LED单胞；相邻的所述LED单胞之间通过金属线互联。